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鷹林 将*; 福田 旺土*; 塚嵜 琉太*; 古賀 永*; 山口 尚登*; 小川 修一*; 高桑 雄二*; 津田 泰孝; 吉越 章隆
no journal, ,
グラフェンは、電界効果トランジスタのチャネル材料やガスバリア膜など幅広い応用が期待されている。独自開発した光電子制御プラズマを用いてグラフェンの化学修飾や改質を調べた。イオンダメージを防げるタウンゼント放電領域条件で処理したグラフェン/Cu基板のC 1s光電子スペクトルには、グラフェンの基幹構造であるsp2炭素由来のピーク(sp2 C-C、sp2 C-H)の他にsp3炭素由来のピーク(sp3 C-H)が観測され、グラフェンの六員環構造が開裂し、そこに水素が結合したことが分かった。一方、水素還元雰囲気下のアニール処理によって、水素脱離に対応するsp3 C-Hならびにsp2 C-Hピークの消失とsp3 C-Cピークの出現が確認できた。
福田 旺土*; 鷹林 将*; 内藤 陽大*; 田中 修斗*; 山口 尚登*; 小川 修一*; 高桑 雄二*; 津田 泰孝; 吉越 章隆
no journal, ,
グラフェンの応用において、改質や化学修飾が必要であるが、多くの手法ではプロセスに起因するダメージが問題となる。本発表では、イオンダメージを防ぐことができる光電子制御プラズマのタウンゼント放電領域を利用することで、欠陥を選択的に制御できることをラマン分光のDバンドから明らかにしたので報告する。
福田 旺土*; 内藤 陽大*; 田中 修斗*; 山口 尚登*; 小川 修一*; 高桑 雄二*; 津田 泰孝; 吉越 章隆; 鷹林 将*
no journal, ,
二次元材料であるグラフェンは、ガスバリア性などの優れた特性が注目されている。これらの特性を向上あるいは新たな特性を見出すためには、グラフェンの修飾が不可欠であるが、既存の方法では、注入、吸着、化学修飾など、特性を破壊したり、低下させたりする可能性がある。我々は、光電子制御・タウンゼント放電(PATD)プラズマの低エネルギーイオン衝突を利用する。従来の高周波放電プラズマでは、電界がグラフェンに深刻なダメージを与える可能性がある。変位電流のため、電流と電圧の両方を独立かつ正確に測定することは困難である。電流と電圧の積である電力を変数として使用するが、電流は示量変数であり化学反応の因子である。電圧は示強変数であり熱力学要因である。PATDは直流プラズマであることから、グラフェンを精密に制御できると期待できる。